2N5793U
Active - DUAL SMALL-SIGNAL BJT
Beschreibung:
DUAL SMALL-SIGNAL BJT
2N5793U Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Transistor-Typ
2 NPN (Dual)
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
600mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
40V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
900mV @ 30mA, 300mA
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
10μA (ICBO)
GleichstromVerstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
40 @ 150mA, 10V
Betriebstemperatur
-65 ℃ ~ 200 ℃ (TJ)
Gehäuse / Hülle
6-SMD, No Lead
Gehäusetyp vom Lieferanten
U
2N5793U Inventar: 36680
5.0 / 5.0
2023-03-24 03:47
Einfach hervorragend!! Vielen Dank.
2022-12-19 19:44
Die Lieferung ist nicht angekommen.
2023-03-25 13:19
Ist wie die Beschreibung (Toshiba). Ist der Betrag, um den ich gebeten habe. Sehr schnell schickte er. Noch nicht bewiesen, ich werde später einen zusätzlichen Kommentar hinzufügen.
2023-03-25 19:53
Sieht gut aus. noch nicht getestet.
2022-11-10 14:27
einige beschädigte Komponenten, unbrauchbar
Finland
