2N5793A
Active - DUAL SMALL-SIGNAL BJT
Beschreibung:
DUAL SMALL-SIGNAL BJT
2N5793A Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Transistor-Typ
2 NPN (Dual)
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
600mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
40V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
900mV @ 30mA, 300mA
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
10μA (ICBO)
GleichstromVerstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
40 @ 150mA, 10V
Betriebstemperatur
-65 ℃ ~ 200 ℃ (TJ)
Gehäuse / Hülle
TO-78-6 Metal Can
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-78-6
2N5793A Inventar: 26680
5.0 / 5.0
2023-02-10 00:45
Ich kann sie noch nicht testen
2023-02-10 06:39
Super bien merci
2023-02-09 12:01
Vielen Dank, konformes Objekt, schnelle Lieferung Nachverfolgung ok, siehe bei der nächsten Bestellung!!
2023-02-10 11:00
Hallo herzlich, alles ist in Ordnung, gemäß der Beschreibung der empfehlen, superschnelle Lieferung für das, was Dankeschön regards__B
2022-08-19 13:29
IGBT-Transistoren auf Testerach und Tescie geöffnet und geschlossen, alle 5 Stück smooth.__As für jetzt von diesem Verkäufer przychodza alle glatt was ist rzadkoscia U andere sprzedawcow tranzystorow IGBT, empfehlen, gute Kommunikation mit Verkäufer.
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