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Startseite  /  Diskrete Halbleiter  /  Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzelne bipolare transistoren  /  Microchip Technology 2N5731

2N5731

Active Icon Active - POWER BJT
2N5731
2N5731
Microchip Technology
Hersteller:
Hersteller-Teil #
Datenblatt:
Beschreibung:
POWER BJT
 
3D Model Icon

2N5731 Spezifikation

Produkt-Attribut
Attributwert
Reihe
-
Verpackung
Bulk
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
PNP
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
20 A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
80 V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
-
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
-
GleichstromVerstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
-
Leistung - Max.
75 W
Frequenz - übergang
-
Betriebstemperatur
-65 ℃ ~ 200 ℃ (TJ)
Montagetyp
Stud Mount
Gehäuse / Hülle
TO-211MA, TO-210AC, TO-61-4, Stud
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-61

2N5731 Inventar: 24080

Geschichte Preis
$499.12500
Certificates
5.0 / 5.0
review stars
Author Icon
Lucien Barre
Location Icon France
5 stars
2023-03-16 05:43
Großartig, vielen Dank
Author Icon
Karla Soto
Location Icon Spain
5 stars
2023-03-16 04:57
Everything Perfect kam schnell nach Spanien.
Author Icon
Fernando Miguel Hernández
Location Icon Spain
5 stars
2023-03-16 04:06
Spektakuläre Spannungsregler, super klein und sehr effizient.
Author Icon
Blanche Gillet
Location Icon France
5 stars
2023-03-15 00:56
Schnelle Lieferung, Artikel sind gut verpackt und sehen bestellkonform aus, aber noch nicht getestet. Danke
Author Icon
Gabriela Silva
Location Icon Spain
5 stars
2023-03-12 10:45
Es ist das, was ich wollte, und ich kam in ein paar Tagen perfekt an

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