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Startseite  /  Diskrete Halbleiter  /  Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzelne bipolare transistoren  /  Microchip Technology 2N5624

2N5624

Active Icon Active - POWER BJT
2N5624
2N5624
Microchip Technology
Hersteller:
Hersteller-Teil #
Datenblatt:
Beschreibung:
POWER BJT
 
3D Model Icon

2N5624 Spezifikation

Produkt-Attribut
Attributwert
Reihe
-
Verpackung
Bulk
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
PNP
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
10 A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
80 V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
-
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
-
GleichstromVerstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
-
Leistung - Max.
116 W
Frequenz - übergang
-
Betriebstemperatur
-
Montagetyp
Through Hole
Gehäuse / Hülle
TO-204AA, TO-3
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-204AD (TO-3)

2N5624 Inventar: 32860

Geschichte Preis
$71.28000
Certificates
5.0 / 5.0
review stars
Author Icon
Elijah Brooks
Location Icon United States
5 stars
2023-02-12 23:38
Beschreibung Genau, aber Vorsicht: 10 Stück 555 und 10 Steckschlüsseleinsätze.
Author Icon
Ramón
Location Icon Spain
5 stars
2023-02-11 02:23
Alles in Ordnung, in Tagen erhalten, muss ausprobiert werden
Author Icon
Joris van der Veen
Location Icon Netherlands
5 stars
2023-02-11 00:16
Danke Verkäufer, alles ist in Ordnung, empfehlen
Author Icon
Andrzej Kowalczyk
Location Icon Poland
5 stars
2023-02-12 22:20
Die Waren werden gekauft, der Garno der Verpackung ist alle pratsju, schwidko bis zu 3 tischniw. Verkäufer empfehlen.
Author Icon
David Samuel
Location Icon Spain
5 stars
2023-02-09 02:08
Alles perfekt. Sehr schnell. Guter Verkäufer.

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