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Startseite  /  Diskrete Halbleiter  /  Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzelne bipolare transistoren  /  Microchip Technology 2N5614

2N5614

Active Icon Active - POWER BJT
2N5614
2N5614
Microchip Technology
Hersteller:
Hersteller-Teil #
Datenblatt:
Beschreibung:
POWER BJT
 
3D Model Icon

2N5614 Spezifikation

Produkt-Attribut
Attributwert
Reihe
-
Verpackung
Bulk
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
PNP
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
5 A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
60 V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
-
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
-
GleichstromVerstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
-
Leistung - Max.
58 W
Frequenz - übergang
-
Betriebstemperatur
-
Montagetyp
Through Hole
Gehäuse / Hülle
TO-204AA, TO-3
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-204AD (TO-3)

2N5614 Inventar: 10660

Geschichte Preis
$71.28000
Certificates
5.0 / 5.0
review stars
Author Icon
Nicoletta Greco
Location Icon Italy
5 stars
2023-02-23 10:47
Top, schneller Versand. Ich muss sie noch testen! Aber sie kamen in gutem Zustand an,
Author Icon
Teresa Sofía
Location Icon Spain
5 stars
2023-02-23 08:27
Alles ok, kein Problem. Alle Chips funktionieren und wurden mit dem TL866-Programmiergerät getestet. Empfohlen!!!
Author Icon
Camille Lefranc
Location Icon France
5 stars
2023-02-23 01:58
Sehr gut angenommen, schnelle Lieferung, ich empfehle den Verkäufer
Author Icon
Hélène Mallet
Location Icon France
5 stars
2023-02-24 09:13
Das Produkt ist perfekt und die Bestellung kam sehr schnell an.
Author Icon
Sofía Núñez
Location Icon Spain
5 stars
2023-02-23 01:38
Schneller Versand genaue Produktbeschreibung

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