2N5612
Active - POWER BJT
2N5612 Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
5 A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
100 V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
-
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
-
GleichstromVerstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
-
Gehäuse / Hülle
TO-213AA, TO-66-2
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-66 (TO-213AA)
2N5612 Inventar: 16220
5.0 / 5.0
2022-08-19 13:29
IGBT-Transistoren auf Testerach und Tescie geöffnet und geschlossen, alle 5 Stück smooth.__As für jetzt von diesem Verkäufer przychodza alle glatt was ist rzadkoscia U andere sprzedawcow tranzystorow IGBT, empfehlen, gute Kommunikation mit Verkäufer.
2023-02-09 11:27
Wie in der Beschreibung habe ich sie nicht installiert, um sie zu testen
2023-02-10 05:28
Aussehende Qualität, gut verpackt, gut verpackt, danke
2023-02-07 08:54
Ich konnte auf sehr einfache Art und Weise sehr schnell bestellen, alles ist nach den description__I bin sehr zufrieden
2023-02-09 07:31
Alles hat perfekt geklappt.
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