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Startseite  /  Diskrete Halbleiter  /  Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzelne bipolare transistoren  /  Microchip Technology 2N5601

2N5601

Active Icon Active - POWER BJT
2N5601
2N5601
Microchip Technology
Hersteller:
Hersteller-Teil #
Datenblatt:
Beschreibung:
POWER BJT
 
3D Model Icon

2N5601 Spezifikation

Produkt-Attribut
Attributwert
Reihe
-
Verpackung
Bulk
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
PNP
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
2 A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
80 V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
850mV @ 200μA, 1mA
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
-
GleichstromVerstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
-
Leistung - Max.
20 W
Frequenz - übergang
-
Betriebstemperatur
-65 ℃ ~ 200 ℃ (TJ)
Montagetyp
Through Hole
Gehäuse / Hülle
TO-213AA, TO-66-2
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-66 (TO-213AA)

2N5601 Inventar: 43600

Geschichte Preis
$41.38500
Certificates
5.0 / 5.0
review stars
Author Icon
Antoine Lefèvre
Location Icon France
5 stars
2023-04-04 00:51
Hallo! Produktqualität, nichts zu sagen ist perfekt. Im Bereich der Bestellungen im Rahmen von Sammelsendungen ist dies hervorragend. Im Bereich der Transportlogistik, der Vorbereitung des Pakets, der Auftragsverfolgung, der Lieferung zu mir nach Hause: Es ist perfekt. Der Verkäufer steht bei dieser Lieferung dieser hochwertigen integrierten Schaltkreise an der Spitze.
Herzlich
Author Icon
Ylenia Ruggiero
Location Icon Italy
5 stars
2023-03-28 14:59
Tolles Produkt und guter Verkäufer
Author Icon
Ewelina Wróbel
Location Icon Poland
5 stars
2023-03-26 07:37
Gute Qualität Ware in Übereinstimmung mit der Bestellung. Lieferzeit 18 Tage.
Author Icon
Melissa Perez
Location Icon United States
5 stars
2023-03-27 06:30
Kam wie gewünscht. Qualitätsprodukt. Schnell angekommen und mit gutem Schutz. Ich empfehle und werde in Zukunft wieder kaufen.
Author Icon
Vanessa Conti
Location Icon Italy
5 stars
2023-03-26 11:37
Seriöser und professioneller Verkäufer empfehlen es

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