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Startseite  /  Diskrete Halbleiter  /  Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzelne bipolare transistoren  /  Microchip Technology 2N5552

2N5552

Active Icon Active - POWER BJT
2N5552
2N5552
Microchip Technology
Hersteller:
Hersteller-Teil #
Datenblatt:
Beschreibung:
POWER BJT
 
3D Model Icon

2N5552 Spezifikation

Produkt-Attribut
Attributwert
Reihe
-
Verpackung
Bulk
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
PNP
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
10 A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
80 V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
500mV @ 500μA, 5mA
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
-
GleichstromVerstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
-
Leistung - Max.
15 W
Frequenz - übergang
-
Betriebstemperatur
-65 ℃ ~ 200 ℃ (TJ)
Montagetyp
Through Hole
Gehäuse / Hülle
TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-5AA

2N5552 Inventar: 49410

Geschichte Preis
$61.35000
Certificates
5.0 / 5.0
review stars
Author Icon
Sara Madsen
Location Icon Denmark
5 stars
2023-03-17 01:37
Ein paar Stücke schon przylutowalem ist OK
Author Icon
Arminas Stankevičius
Location Icon Lithuania
5 stars
2023-03-18 06:50
Alles funktioniert einwandfrei. Ich habe die maximale Stromstärke nicht getestet, aber es hält 2 Ampere sehr gut.
Author Icon
Gaston Guichard
Location Icon France
5 stars
2023-03-18 02:42
Laut Beschreibung habe ich noch nicht geschweißt
Author Icon
Wioletta Kowalska
Location Icon Poland
5 stars
2023-03-17 23:22
Ware OK, sehr schneller Versand.
Author Icon
George Mitchell
Location Icon United States
5 stars
2023-03-17 13:18
Alles sehr ausgezeichnet, gut funktioniert

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