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Startseite  /  Diskrete Halbleiter  /  Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzelne bipolare transistoren  /  Microchip Technology 2N5386

2N5386

Active Icon Active - POWER BJT
2N5386
2N5386
Microchip Technology
Hersteller:
Hersteller-Teil #
Datenblatt:
Beschreibung:
POWER BJT
 
3D Model Icon

2N5386 Spezifikation

Produkt-Attribut
Attributwert
Reihe
-
Verpackung
Bulk
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
PNP
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
12 A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
80 V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
-
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
-
GleichstromVerstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
-
Leistung - Max.
50 W
Frequenz - übergang
-
Betriebstemperatur
-65 ℃ ~ 200 ℃ (TJ)
Montagetyp
Stud Mount
Gehäuse / Hülle
TO-211MA, TO-210AC, TO-61-4, Stud
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-61

2N5386 Inventar: 24920

Geschichte Preis
$499.12500
Certificates
5.0 / 5.0
review stars
Author Icon
Finn Johnson
Location Icon United States
5 stars
2023-03-08 13:25
Schnelles Schiff und kam in gutem Zustand an.
Author Icon
Zeno Romano
Location Icon Italy
5 stars
2023-03-11 03:28
Seriöser und ehrlicher Verkäufer, Artikel als Beschreibung, es war ein Vergnügen, Geschäfte mit Verkäufer zu machen, Grüße aus Mailand
Author Icon
Mikko Rautio
Location Icon Finland
5 stars
2023-03-08 08:29
Sieht aus wie der Typ, der das Texas Instruments-Logo auf diesen
Author Icon
Ylenia Morelli
Location Icon Italy
5 stars
2023-03-11 08:26
Alles gut. Nicht getestet
Author Icon
Teresa Alejandra Morales
Location Icon Spain
5 stars
2023-03-08 22:33
Arbeiten an einem Sony ct-291 Subwofer.

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