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2N5334

Active - POWER BJT

2N5334

Microchip Technology

Hersteller:

Microchip Technology

Hersteller-Teil #

Kategorie:

Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzelne bipolare transistoren

Datenblatt:

Beschreibung:

POWER BJT

2N5334 Spezifikation

Produkt-Attribut

Attributwert

Kategorie

Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzelne bipolare transistoren

Hersteller

Microchip Technology

Reihe

-

Verpackung

Bulk

Produktstatus

Active

Transistor-Typ

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

3 A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)

60 V

Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic

-

Strom - Kollektor, Reststrom (max.)

-

GleichstromVerstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce

-

Leistung - Max.

6 W

Frequenz - übergang

-

Betriebstemperatur

-65 ℃ ~ 200 ℃ (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Gehäuse / Hülle

TO-205AA, TO-5-3 Metal Can

Gehäusetyp vom Lieferanten

TO-5AA

2N5334 Inventar: 33340

Geschichte Preis

$21.42000

Certificates

5.0 / 5.0

Adeline Chevalier

France

2023-02-14 10:46

Perfekt, sehr guter Preis. Funktionale Komponenten. Der Versand ist schnell genug.

Valentin Girard

France

2023-02-13 05:40

Großes Dankeschön

Joris de Molen

Netherlands

2023-02-13 06:49

Alle Transistoren sind in Ordnung und gut verpackt.

Lara Ferraro

Italy

2023-02-13 08:48

Eingang innerhalb von 43 Kalendertagen. Positive Bewertung mit vielen Sternen veröffentlicht.

Clémence Fournier

France

2023-02-13 05:43

Großes Dankeschön

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