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Startseite  /  Diskrete Halbleiter  /  Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzelne bipolare transistoren  /  Microchip Technology 2N5331

2N5331

Active Icon Active - POWER BJT
2N5331
2N5331
Microchip Technology
Hersteller:
Hersteller-Teil #
Datenblatt:
Beschreibung:
POWER BJT
 
3D Model Icon

2N5331 Spezifikation

Produkt-Attribut
Attributwert
Reihe
-
Verpackung
Bulk
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
30 A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
90 V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
-
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
-
GleichstromVerstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
-
Leistung - Max.
175 W
Frequenz - übergang
-
Betriebstemperatur
-65 ℃ ~ 200 ℃ (TJ)
Montagetyp
Stud Mount
Gehäuse / Hülle
TO-211MB, TO-63-4, Stud
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-63

2N5331 Inventar: 44450

Geschichte Preis
$635.25000
Certificates
5.0 / 5.0
review stars
Author Icon
Sara Vainio
Location Icon Finland
5 stars
2023-01-28 23:15
Alle kamen in gutem Zustand. Testen zu einem späteren Zeitpunkt.
Author Icon
Clara Beatriz Ruiz
Location Icon Spain
5 stars
2023-01-28 01:00
Alles korrekt und kam schnell
Author Icon
Kinga Szymczak
Location Icon Poland
5 stars
2023-01-28 03:22
Das Paket ist angekommen. Alles ist in Ordnung. Das Element, das der Beschreibung entspricht. Vielen Dank für die Transaktion.
Author Icon
Dariusz Czarnecki
Location Icon Poland
5 stars
2023-01-28 03:22
Das Paket ist angekommen. Alles ist in Ordnung. Das Element, das der Beschreibung entspricht. Vielen Dank für die Transaktion.
Author Icon
Zeno Vitale
Location Icon Italy
5 stars
2023-01-28 06:32
Funktioniert ist billig

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