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2N5327

Active - POWER BJT

Hersteller:

Microchip Technology

Hersteller-Teil #

2N5327

Kategorie:

Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzelne bipolare transistoren

Datenblatt:

2N5327

Beschreibung:

POWER BJT

2N5327 Spezifikation

Produkt-Attribut

Attributwert

Kategorie

Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzelne bipolare transistoren

Hersteller

Microchip Technology

Reihe

-

Verpackung

Bulk

Produktstatus

Active

Transistor-Typ

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

10 A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)

80 V

Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic

-

Strom - Kollektor, Reststrom (max.)

-

GleichstromVerstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce

-

Leistung - Max.

7.5 W

Frequenz - übergang

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

Gehäuse / Hülle

TO-205AA, TO-5-3 Metal Can

Gehäusetyp vom Lieferanten

TO-5AA

2N5327 Inventar: 20

Geschichte Preis

$21.42000

5.0 / 5.0

Alix Lemaire

France

2023-03-01 05:54

Perfekt und funktionierend Danke

Sacha Morel

France

2023-03-02 02:16

Schneller Versand und Lieferung. Zufrieden.

Thibault Bernard

France

2023-03-02 04:12

Ich habe die vorherige Bestellung für sie getestet. Sie waren OK.__Note über atmega8,88,168,328 :__if Sie erhalten einige unversiegelt (generalüberholt), sind sie wahrscheinlich im Sperrmodus. Verwenden Sie den parallelen Löschmodus, bevor Sie sie für tot erklären.

Jerzy Wysocki

Poland

2023-03-02 09:50

Alles ist in Ordnung. Schnelle Lieferzeit, 21 Tage ab Kauf.

Ruby Martinez

United States

2023-03-02 10:57

Ok danke