2N5326
Active - POWER BJT
2N5326 Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
5 A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
80 V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
1V @ 500μA, 1mA
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
-
GleichstromVerstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
-
Betriebstemperatur
-65 ℃ ~ 200 ℃ (TJ)
Gehäuse / Hülle
TO-111-4, Stud
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-111
2N5326 Inventar: 13900
5.0 / 5.0
2023-02-01 12:02
Perfekt, es ist okay. Danke
2023-02-02 04:43
Tolles Produkt, zuverlässiger Verkäufer!
2023-02-03 05:51
sieht OK aus. Es hat über 2 Monate gedauert, bis es ankam.
2023-02-02 01:13
Die Chips bekamen alles wie beschrieben. Etwa einen Monat Lieferung. Verkäufer und Geschäft empfehlen.
2023-02-02 00:27
Die Ware kam pünktlich an, d.h. mehr als einen Monat nach dem order__So, warten Sie nicht darauf, dass es bald kommt!
Italy
