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Startseite  /  Diskrete Halbleiter  /  Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzelne bipolare transistoren  /  Microchip Technology 2N5314

2N5314

Active Icon Active - POWER BJT
2N5314
2N5314
Microchip Technology
Hersteller:
Hersteller-Teil #
Datenblatt:
Beschreibung:
POWER BJT
 
3D Model Icon

2N5314 Spezifikation

Produkt-Attribut
Attributwert
Reihe
-
Verpackung
Bulk
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
PNP
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
20 A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
100 V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
-
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
-
GleichstromVerstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
-
Leistung - Max.
87.5 W
Frequenz - übergang
-
Betriebstemperatur
-
Montagetyp
Stud Mount
Gehäuse / Hülle
TO-211MA, TO-210AC, TO-61-4, Stud
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-61

2N5314 Inventar: 8440

Geschichte Preis
$499.12500
Certificates
5.0 / 5.0
review stars
Author Icon
Paul Bauer
Location Icon Germany
5 stars
2023-03-15 13:34
Die Spansäge ist neuwertiger Zustand und ist nach verbauen funktionstüchtig, top
Author Icon
Edmond Lamy
Location Icon France
5 stars
2023-02-08 00:59
Irreführendes Bild. Ich dachte, es wären 2 Teile
Author Icon
Domenico Conti
Location Icon Italy
5 stars
2023-03-13 13:31
Sie kamen ein paar Tage zu spät an, aber ansonsten ok.__Seller alles recht verfügbar, empfehle ich
Author Icon
Simone Joly
Location Icon France
5 stars
2023-03-14 10:55
Passen Sie zur Beschreibung. Gute Werte.
Author Icon
Claudia Ferri
Location Icon Italy
5 stars
2023-03-15 07:51
Waren von guter Qualität. Zuverlässig Vendor.__Fast Versand.

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