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Startseite  /  Diskrete Halbleiter  /  Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzelne bipolare transistoren  /  Microchip Technology 2N5288

2N5288

Active Icon Active - POWER BJT
2N5288
2N5288
Microchip Technology
Hersteller:
Hersteller-Teil #
Datenblatt:
Beschreibung:
POWER BJT
 
3D Model Icon

2N5288 Spezifikation

Produkt-Attribut
Attributwert
Reihe
-
Verpackung
Bulk
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
10 A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
100 V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
900mV @ 500μA, 5mA
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
-
GleichstromVerstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
-
Leistung - Max.
116 W
Frequenz - übergang
-
Betriebstemperatur
-65 ℃ ~ 200 ℃ (TJ)
Montagetyp
Stud Mount
Gehäuse / Hülle
TO-211MA, TO-210AC, TO-61-4, Stud
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-61

2N5288 Inventar: 11240

Geschichte Preis
$499.12500
Certificates
5.0 / 5.0
review stars
Author Icon
Raphaël Faure
Location Icon France
5 stars
2023-03-03 00:54
Übereinstimmend mit dem, was ich erwartet habe ..
Author Icon
Vanessa Gallo
Location Icon Italy
5 stars
2023-03-03 06:27
Perfekt wie immer
Author Icon
Alice Parker
Location Icon United States
5 stars
2023-03-03 17:39
Schnell angekommen, ordentlich verpackt, (mit Vertreterkarte)
Author Icon
Arianna Leone
Location Icon Italy
5 stars
2023-03-03 11:03
Wird verwendet, um die Imagekarte zu reparieren, da die rel__Is nicht aktiviert wurde. Funktioniert jetzt einwandfrei
Author Icon
Jaxon Green
Location Icon United States
5 stars
2023-03-03 23:34
Korrekte Qualität, alles ist in Ordnung

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