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Startseite  /  Diskrete Halbleiter  /  Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzelne bipolare transistoren  /  Microchip Technology 2N5252

2N5252

Active Icon Active - POWER BJT
2N5252
2N5252
Microchip Technology
Hersteller:
Hersteller-Teil #
Datenblatt:
Beschreibung:
POWER BJT
 
3D Model Icon

2N5252 Spezifikation

Produkt-Attribut
Attributwert
Reihe
-
Verpackung
Bulk
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
1 A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
300 V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
-
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
-
GleichstromVerstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
-
Leistung - Max.
1 W
Frequenz - übergang
-
Betriebstemperatur
-65 ℃ ~ 200 ℃ (TJ)
Montagetyp
Through Hole
Gehäuse / Hülle
TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-5AA

2N5252 Inventar: 27920

Geschichte Preis
$15.01500
Certificates
5.0 / 5.0
review stars
Author Icon
Romain Vidal
Location Icon France
5 stars
2023-02-02 00:27
Die Ware kam pünktlich an, d.h. mehr als einen Monat nach dem order__So, warten Sie nicht darauf, dass es bald kommt!
Author Icon
Nienke de Lange
Location Icon Netherlands
5 stars
2023-02-01 10:02
Nächstes Mal wieder in diesem Shop bestellen super
Author Icon
Jonathan Mitchell
Location Icon United States
5 stars
2023-02-01 09:28
Richtiger Artikel. Sehr gut verpackt. Schneller Empfang.
Author Icon
Patricia Elena
Location Icon Spain
5 stars
2023-02-02 03:02
Ich habe es in meiner Arbeit nicht überprüft, also habe ich kein Recht, es zu empfehlen, wenn es Probleme gibt, werde ich es rückgängig machen
Author Icon
Teresa Mendoza
Location Icon Spain
5 stars
2023-02-02 16:23
Sie sind sehr gut angekommen, ich hoffe, wieder verhandeln zu können, vielen Dank.

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