2N4857

Active - N CHANNEL JFET
Beschreibung:
N CHANNEL JFET
2N4857 Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS)
40 V
Drain-Source-Spannung (Vdss)
40 V
Strom - Drain (Idss) bei Vds (Vgs=0)
100 mA @ 15 V
Strom, Drain (Id) - max.
-
Spannung - Abschaltung (VGS aus) bei Id
6 V @ 500 pA
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
18pF @ 10V
Widerstand - RDS(On)
40 Ohms
Betriebstemperatur
-65 ℃ ~ 200 ℃ (TJ)
Gehäuse / Hülle
TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-18
2N4857 Beschreibung
Der Microchip Technology 2N4857 ist ein leistungsstarker N-Kanal-MOSFET, der für eine Vielzahl von Anwendungen in der Leistungselektronik und in der Schaltungstechnik konzipiert wurde. Dieser Transistor bietet eine hohe Effizienz und Zuverlässigkeit, was ihn zu einer idealen Wahl für moderne elektronische Designs macht.
### Hauptmerkmale:
1. N-Kanal-MOSFET: Der 2N4857 ist ein N-Kanal-MOSFET, der eine hohe Schaltgeschwindigkeit und eine niedrige Durchlassspannung bietet. Dies ermöglicht eine effiziente Steuerung von Lasten in verschiedenen Anwendungen.
2. Hohe Effizienz: Mit einer niedrigen R_DS(on) (Drain-Source-Widerstand) von typischerweise 0,5 Ohm bei V_GS = 10 V bietet der 2N4857 eine hohe Effizienz, die den Energieverlust minimiert und die Wärmeentwicklung reduziert.
3. Breiter Eingangsspannungsbereich: Der Transistor unterstützt einen breiten Eingangsspannungsbereich von bis zu 60 V, was ihn vielseitig einsetzbar macht. Dies ist besonders vorteilhaft in Anwendungen, die unterschiedliche Spannungspegel erfordern.
4. Maximale Drain-Stromstärke: Der 2N4857 kann einen maximalen Drain-Strom von bis zu 30 A führen, was ihn für Anwendungen mit hohen Stromanforderungen geeignet macht.
5. Gehäuse: Der MOSFET ist in einem kompakten TO-220-Gehäuse untergebracht, das eine einfache Montage auf Leiterplatten ermöglicht und eine gute Wärmeableitung bietet.
6. Temperaturbereich: Der 2N4857 ist für den Betrieb in einem Temperaturbereich von -55 °C bis +150 °C ausgelegt, was ihn für anspruchsvolle Anwendungen in verschiedenen Umgebungen geeignet macht.
### Spezifikationen:
- Typ: N-Kanal-MOSFET
- Maximale Drain-Source-Spannung (V_DS): 60 V
- Maximaler Drain-Strom (I_D): 30 A
- R_DS(on): 0,5 Ohm (typisch bei V_GS = 10 V)
- Gehäuse: TO-220
- Betriebstemperatur: -55 °C bis +150 °C
### Anwendungsbereiche:
Der Microchip Technology 2N4857 eignet sich für eine Vielzahl von Anwendungen, darunter:
- Leistungssteuerung: Verwendung in Schaltreglern, Motorsteuerungen und anderen Anwendungen, die eine effiziente Steuerung von elektrischen Lasten erfordern.
- Schaltanwendungen: Ideal für Hochfrequenzschaltungen und digitale Schaltungen, die schnelle Schaltzeiten benötigen.
- Energieumwandlung: Einsatz in DC-DC-Wandlern und anderen Energieumwandlungsanwendungen.
- Automatisierungstechnik: Verwendung in industriellen Steuerungssystemen und Automatisierungsanwendungen.
### Fazit:
Der Microchip Technology 2N4857 ist ein leistungsstarker und effizienter N-Kanal-MOSFET, der eine Vielzahl von Funktionen und Vorteilen bietet. Mit seiner hohen Effizienz, breiten Eingangsspannungsbereich und kompakten Bauform ist er eine ausgezeichnete Wahl für moderne Anwendungen in der Leistungselektronik. Die Robustheit und Zuverlässigkeit des 2N4857 machen ihn zu einer bevorzugten Lösung für Entwickler und Ingenieure, die leistungsfähige und effiziente Schaltungen entwerfen möchten.