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Startseite  /  Diskrete Halbleiter  /  Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzelne bipolare transistoren  /  Microchip Technology 2N3879A

2N3879A

Active Icon Active - POWER BJT
2N3879A
2N3879A
Microchip Technology
Hersteller:
Hersteller-Teil #
Datenblatt:
Beschreibung:
POWER BJT
 
3D Model Icon

2N3879A Spezifikation

Produkt-Attribut
Attributwert
Reihe
-
Verpackung
Bulk
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
7 A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
75 V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
1.2V @ 400mA, 4A
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
25mA (ICBO)
GleichstromVerstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
20 @ 4A, 5V
Leistung - Max.
35 W
Frequenz - übergang
-
Betriebstemperatur
-65 ℃ ~ 200 ℃ (TJ)
Montagetyp
Through Hole
Gehäuse / Hülle
TO-213AA, TO-66-2
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-66 (TO-213AA)

2N3879A Inventar: 17970

Geschichte Preis
$23.43000
Certificates
5.0 / 5.0
review stars
Author Icon
Sofía Elena
Location Icon Spain
5 stars
2023-03-08 08:10
Ausgezeichneter Verkäufer, sehr zu empfehlen.
Author Icon
Felipe Torres
Location Icon Spain
5 stars
2023-01-31 16:29
Ich habe sie eingesetzt und sie haben 2 Minuten gedauert, sie platzen automatisch, schlechte Qualität
Author Icon
Brian Nelson
Location Icon United States
5 stars
2023-03-07 17:17
Qualität 100% empfohlener Verkäufer,
Author Icon
Laura Fernanda Jiménez
Location Icon Spain
5 stars
2023-03-05 02:44
Alles gut!! Xbox One S repariert. Vielen Dank!
Author Icon
Valeria Romero
Location Icon Spain
5 stars
2022-11-27 08:34
Sie sind falsch und der Anblick und das Fehlen der Diode im Inneren, ich werde einige Bilder nach links machen, ist original

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