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Startseite  /  Diskrete Halbleiter  /  Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzelne bipolare transistoren  /  Microchip Technology 2N3765U4

2N3765U4

Active Icon Active - POWER BJT
2N3765U4
2N3765U4
Microchip Technology
Hersteller:
Hersteller-Teil #
Datenblatt:
Beschreibung:
POWER BJT
 
3D Model Icon

2N3765U4 Spezifikation

Produkt-Attribut
Attributwert
Reihe
-
Verpackung
Bulk
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
PNP
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
1.5 A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
60 V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
900mV @ 100mA, 1A
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
100μA
GleichstromVerstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
40 @ 500mA, 1V
Leistung - Max.
500 mW
Frequenz - übergang
-
Betriebstemperatur
-55 ℃ ~ 200 ℃ (TJ)
Montagetyp
Surface Mount
Gehäuse / Hülle
3-SMD, No Lead
Gehäusetyp vom Lieferanten
U4

2N3765U4 Inventar: 12120

Geschichte Preis
$139.75500
Certificates
5.0 / 5.0
review stars
Author Icon
Martín Alejandro Pérez
Location Icon Spain
5 stars
2023-02-22 18:46
Alles stimmt
Author Icon
Kęstutis Andrius
Location Icon Lithuania
5 stars
2023-02-23 08:53
Lieferung in der angegebenen Zeit. Wie beschrieben. Empfehlen!
Author Icon
Kevin Green
Location Icon United States
5 stars
2023-02-24 09:35
In Ordnung, ca.
Author Icon
Mia Müller
Location Icon Germany
5 stars
2023-02-23 02:51
Sehr schnelle Lieferung, gute Ware
Author Icon
Léopold Leclercq
Location Icon France
5 stars
2023-02-23 06:46
Funktioniert sehr gut

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