2N3750
Active - POWER BJT
2N3750 Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
5 A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
40 V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
-
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
-
GleichstromVerstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
-
Gehäuse / Hülle
TO-111-4, Stud
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-111
2N3750 Inventar: 43220
5.0 / 5.0
2023-03-11 15:35
Gut-<br>Ic Max -100 mA.<br>Vce Max -45V<br>Vebo Max -5V<br>Vbe(Sat) -0,7 V (Ic=-10 mA, ib=-0,5 mA)<br>Versand für Italien in 17 Tagen.<br>Ich empfehle den Kauf
2023-03-08 21:30
Produkt sieht gut aus
2023-03-08 13:25
Schnelles Schiff und kam in gutem Zustand an.
2023-03-11 03:28
Seriöser und ehrlicher Verkäufer, Artikel als Beschreibung, es war ein Vergnügen, Geschäfte mit Verkäufer zu machen, Grüße aus Mailand
2023-03-08 08:29
Sieht aus wie der Typ, der das Texas Instruments-Logo auf diesen
Italy
