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Startseite  /  Diskrete Halbleiter  /  Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzelne bipolare transistoren  /  Microchip Technology 2N3629

2N3629

Active Icon Active - POWER BJT
2N3629
2N3629
Microchip Technology
Hersteller:
Hersteller-Teil #
Datenblatt:
Beschreibung:
POWER BJT
 
3D Model Icon

2N3629 Spezifikation

Produkt-Attribut
Attributwert
Reihe
-
Verpackung
Bulk
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
PNP
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
5 A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
40 V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
-
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
-
GleichstromVerstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
-
Leistung - Max.
30 W
Frequenz - übergang
-
Betriebstemperatur
-
Montagetyp
Stud Mount
Gehäuse / Hülle
TO-211MA, TO-210AC, TO-61-4, Stud
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-61

2N3629 Inventar: 1870

Geschichte Preis
$490.05000
Certificates
5.0 / 5.0
review stars
Author Icon
Roberto Conti
Location Icon Italy
5 stars
2023-03-14 07:39
Ich habe die Bedienung noch nicht getestet. Vom Aussehen her entspricht das Produkt der Beschreibung. Sehr erschwinglicher Preis. Die Lieferung war aufgrund der chinesischen Neujahrsfeiertage langsam (es dauerte 55 Tage, bis sie in Italien ankam).
Author Icon
Samuel Cordero
Location Icon Spain
5 stars
2023-03-16 08:44
Im Moment funktionieren sie gut und getestet, gute Qualität und schnelle Lieferung
Author Icon
Katharina Maria Weber
Location Icon Germany
5 stars
2023-03-15 04:15
Schnell innerhalb von 1 3 Tagen angekommen, dank des Verkäufers
Author Icon
Irena Nowakowska
Location Icon Poland
5 stars
2023-03-16 11:07
Sehr gutes Produkt und ausgezeichneter Verkäufer.
Author Icon
Luca Schwarz
Location Icon Germany
5 stars
2023-03-15 07:58
Perfekt, danke.

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