Kategorien
Neue Produkte
Qualitätskontrolle
Rezensionen
Startseite  /  Diskrete Halbleiter  /  Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzelne bipolare transistoren  /  Microchip Technology 2N3597

2N3597

Active Icon Active - POWER BJT
2N3597
2N3597
Microchip Technology
Hersteller:
Hersteller-Teil #
Datenblatt:
Beschreibung:
POWER BJT
 
3D Model Icon

2N3597 Spezifikation

Produkt-Attribut
Attributwert
Reihe
-
Verpackung
Bulk
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
PNP
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
20 A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
40 V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
-
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
-
GleichstromVerstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
-
Leistung - Max.
100 W
Frequenz - übergang
-
Betriebstemperatur
-
Montagetyp
Stud Mount
Gehäuse / Hülle
TO-211MB, TO-63-4, Stud
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-63

2N3597 Inventar: 40160

Geschichte Preis
$526.35000
Certificates
5.0 / 5.0
review stars
Author Icon
Anthony Price
Location Icon United States
5 stars
2023-02-11 06:08
Ein Teil der Chips kam 3843 an = 3843 Mrd. bezahlt
Author Icon
Javier Alejandro
Location Icon Spain
5 stars
2023-02-14 08:44
Schneller Versand genaue Produktbeschreibung
Author Icon
Oscar Martínez
Location Icon Spain
4 stars
2023-02-16 00:12
Wurde sehr spät versendet
Author Icon
Cyprien Rousseau
Location Icon France
5 stars
2023-02-16 00:02
Gut angekommen in 11 Tagen scheinen alle gut zu sein, danke
Author Icon
Stella Morris
Location Icon United States
5 stars
2023-02-13 17:15
Ausgezeichnet!!! Vielen Dank

2N3597 Verwandte Teile

2N3055
2N3906RLRMG
2N3019A
2N3421 PBFREE
2N3053
2N3019
2N3019
2N3019
2N3053 PBFREE
2N3905TA
2N3055
2N3055
Angebotsanfrage
Teilenummer *
Hersteller
Kontaktperson *
E-Mail *
Anfrage Menge *
Lieferland *