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Startseite  /  Diskrete Halbleiter  /  Transistoren - Bipolar (BJT) - Bipolare HF-Transistoren  /  Microchip Technology 2N3495

2N3495

Active Icon Active - SMALL-SIGNAL BJT
2N3495
2N3495
Microchip Technology
Hersteller:
Hersteller-Teil #
Datenblatt:
Beschreibung:
SMALL-SIGNAL BJT
 
3D Model Icon

2N3495 Spezifikation

Produkt-Attribut
Attributwert
Reihe
-
Verpackung
Bulk
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
PNP
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
120V
Frequenz - übergang
150MHz
Rauschzahl (dB typ. bei f)
-
Verstärkung
-
Leistung - Max.
400mW
GleichstromVerstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
40 @ 50mA, 10V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100mA
Betriebstemperatur
-65 ℃ ~ 200 ℃ (TJ)
Montagetyp
Through Hole
Gehäuse / Hülle
TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-5AA

2N3495 Inventar: 3390

Geschichte Preis
$32.40000
Certificates
5.0 / 5.0
review stars
Author Icon
Christopher Young
Location Icon United States
5 stars
2023-01-27 15:04
Diese Transistoren eignen sich hervorragend für experimentelle Projekte.
Author Icon
Lars Jensen
Location Icon Denmark
5 stars
2023-01-27 06:03
Sie kamen gut an.
Author Icon
Halina Włodarczyk
Location Icon Poland
5 stars
2023-01-25 00:36
Alles gemäß der Beschreibung. Verkäufer weiterempfehlen
Author Icon
Paul Wright
Location Icon United States
5 stars
2023-01-26 16:09
Das Produkt kam wie angekündigt an.
Author Icon
Sofía Ortega
Location Icon Spain
5 stars
2023-01-25 00:36
Alles perfekt. Vielen Dank.

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