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Startseite  /  Diskrete Halbleiter  /  Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzelne bipolare transistoren  /  Microchip Technology 2N2780

2N2780

Active Icon Active - POWER BJT
2N2780
2N2780
Microchip Technology
Hersteller:
Hersteller-Teil #
Datenblatt:
Beschreibung:
POWER BJT
 
3D Model Icon

2N2780 Spezifikation

Produkt-Attribut
Attributwert
Reihe
-
Verpackung
Bulk
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
PNP
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
30 A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
300 V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
-
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
-
GleichstromVerstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
-
Leistung - Max.
200 W
Frequenz - übergang
-
Betriebstemperatur
-65 ℃ ~ 200 ℃ (TJ)
Montagetyp
Stud Mount
Gehäuse / Hülle
TO-211MB, TO-63-4, Stud
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-63

2N2780 Inventar: 44560

Geschichte Preis
$471.90000
Certificates
5.0 / 5.0
review stars
Author Icon
Johann Müller
Location Icon Germany
5 stars
2023-03-17 08:54
Alles ausgezeichnet, sehr schneller Versand, danke
Author Icon
Eleonora Greco
Location Icon Italy
5 stars
2023-03-17 00:55
Elektronische Komponenten mit gültiger struktureller Festigkeit. Ich habe die Genauigkeit der Spannung nicht getestet, aber ich denke, alles ist regelmäßig. Der Verkäufer hat sofort versendet.
Author Icon
Juan Manuel
Location Icon Spain
5 stars
2023-03-18 16:42
Alles gut und sie kamen sehr schnell an
Author Icon
Lila Martinez
Location Icon United States
5 stars
2023-03-19 14:53
Ich habe einen Bootloader mit Avrdude auf der Kommandozeile auf jede der 10 MCUs gebrannt und dann einen doppelt blinkenden LED-Code auf jede hochgeladen. Sie funktionierten wie ein Zauber. Sie sind alle großartig und haben ATmel drauf, so dass sie echt wirken. Keine Zitronen! Sehr schneller Versand ebenfalls.
Author Icon
Eugénie Lefevre
Location Icon France
5 stars
2023-03-17 09:35
Gut angenommen. Artikel OK. Vielen Dank. Vielen Dank.

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