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1N6779

Active Icon Active - DIODE GEN PURP 600V 15A TO257
1N6779
1N6779
Microchip Technology
Hersteller:
Hersteller-Teil #
Datenblatt:
Beschreibung:
DIODE GEN PURP 600V 15A TO257
 
3D Model Icon

1N6779 Spezifikation

Produkt-Attribut
Attributwert
Reihe
-
Verpackung
Bulk
Produktstatus
Active
Technologie
Standard
Spannung - DC-Rückwärtssp. (Vr) (Max.)
600 V
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io)
15A
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If
1.6 V @ 15 A
Geschwindigkeit
Fast Recovery = 200mA (Io)
Umkehrerholungszeit (trr)
60 ns
Strom - Sperrleckstrom bei Vr
10 μA @ 480 V
Kapazität bei Vr, F
300pF @ 5V, 1MHz
Montagetyp
Through Hole
Gehäuse / Hülle
TO-257-3
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-257
Betriebstemperatur - übergang
150 ℃ (Max)

1N6779 Inventar: 6180

Geschichte Preis
$290.40000
Certificates
5.0 / 5.0
review stars
Author Icon
Raffaella Esposito
Location Icon Italy
5 stars
2023-03-21 12:55
Im Zoll feststecken
Author Icon
Pietro Moretti
Location Icon Italy
5 stars
2023-03-20 14:42
Ware, die der Beschreibung entspricht und schneller Versand. Seriöser Verkäufer, empfehlenswert.
Author Icon
Sidonie Mercier
Location Icon France
5 stars
2023-03-22 01:07
Konformes Produkt (noch nicht getestet). Schnelles und sauberes Versenden. Verkäufer zu empfehlen. Vielen Dank. Vielen Dank.
Author Icon
Valère Poulain
Location Icon France
5 stars
2023-03-24 11:36
Wie immer bin ich mit diesem Verkäufer zufrieden Vielen Dank
Author Icon
Ottavia Romano
Location Icon Italy
5 stars
2023-03-23 22:53
Alles ok zu empfehlen, tolles Produkt

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