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1N6666

Active - DIODE GEN PURP 200V 10A TO257

Hersteller:

Microchip Technology

Hersteller-Teil #

1N6666

Kategorie:

Dioden - Gleichrichter - Einzeldioden

Datenblatt:

1N6666

Beschreibung:

DIODE GEN PURP 200V 10A TO257

1N6666 Spezifikation

Produkt-Attribut

Attributwert

Kategorie

Dioden - Gleichrichter - Einzeldioden

Hersteller

Microchip Technology

Reihe

-

Verpackung

Bulk

Produktstatus

Active

Technologie

Standard

Spannung - DC-Rückwärtssp. (Vr) (Max.)

200 V

Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io)

10A

Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If

1 V @ 30 A

Geschwindigkeit

Fast Recovery = 200mA (Io)

Umkehrerholungszeit (trr)

35 ns

Strom - Sperrleckstrom bei Vr

-

Kapazität bei Vr, F

-

Montagetyp

Through Hole

Gehäuse / Hülle

TO-257-3

Gehäusetyp vom Lieferanten

TO-257

Betriebstemperatur - übergang

200 ℃

1N6666 Inventar: 47240

Geschichte Preis

$178.69500

5.0 / 5.0

Edoardo Esposito

Italy

2023-04-16 21:02

Nur 78M05 getestet: OK.

Virginie Meunier

France

2023-04-16 05:39

Ich habe den Artikel schnell erhalten. Bestellen Sie gut verpackt. Das Produkt entspricht der Beschreibung. Der Verkäufer meint es ernst. Ich empfehle es.

Lukas Braun

Germany

2023-04-11 09:24

Tipp top, danke!

Nolan Edwards

United States

2023-04-13 02:16

Erscheint wie beschrieben, wurde aber noch nicht in der Schaltung verwendet.

Anton Müller

Germany

2023-04-17 04:12

sehr gut verpackt

1N6666

1N6666 Spezifikation

1N6666 Inventar: 47240

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