1N6661

Active - DIODE GEN PURP 225V 500MA DO35
Beschreibung:
DIODE GEN PURP 225V 500MA DO35
1N6661 Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Reihe
Military, MIL-PRF- 19500/587
Spannung - DC-Rückwärtssp. (Vr) (Max.)
225 V
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io)
500mA
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If
1 V @ 400 mA
Geschwindigkeit
Standard Recovery >500ns, >200mA (Io)
Umkehrerholungszeit (trr)
-
Strom - Sperrleckstrom bei Vr
50 nA @ 225 V
Gehäuse / Hülle
DO-204AH, DO-35, Axial
Gehäusetyp vom Lieferanten
DO-35 (DO-204AH)
Betriebstemperatur - übergang
-65 ℃ ~ 175 ℃
1N6661 Inventar: 28200
5.0 / 5.0

2023-05-25 05:41
Oberteil von guter Qualität

2023-05-24 09:17
Perfekt, es ist okay. Vielen Dank

2023-05-24 08:20
...

2023-05-24 06:05
In Ordnung, perfekt, danke

2023-05-24 09:55
Artikel gut angenommen und konform. Die Lieferung zwischen China und Frankreich ist in 18 Tagen statt 15 Tagen etwas lang.