1N6642USE3
Active - DIODE GP 75V 300MA B SQ-MELF
Beschreibung:
DIODE GP 75V 300MA B SQ-MELF
1N6642USE3 Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Spannung - DC-Rückwärtssp. (Vr) (Max.)
75 V
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io)
300mA
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If
1.2 V @ 100 mA
Geschwindigkeit
Fast Recovery = 200mA (Io)
Umkehrerholungszeit (trr)
5 ns
Strom - Sperrleckstrom bei Vr
500 nA @ 75 V
Kapazität bei Vr, F
5pF @ 0V, 1MHz
Gehäuse / Hülle
SQ-MELF, B
Gehäusetyp vom Lieferanten
B, SQ-MELF
Betriebstemperatur - übergang
-65 ℃ ~ 175 ℃
Italy
