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1N5822US

Active Icon Active - DIODE SCHOTTKY 40V 3A B SQ-MELF
1N5822US
1N5822US
Microchip Technology
Hersteller:
Hersteller-Teil #
Datenblatt:
Beschreibung:
DIODE SCHOTTKY 40V 3A B SQ-MELF
 
3D Model Icon

1N5822US Spezifikation

Produkt-Attribut
Attributwert
Reihe
-
Verpackung
Bulk
Produktstatus
Active
Technologie
Schottky
Spannung - DC-Rückwärtssp. (Vr) (Max.)
40 V
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io)
3A
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If
500 mV @ 3 A
Geschwindigkeit
Fast Recovery = 200mA (Io)
Umkehrerholungszeit (trr)
-
Strom - Sperrleckstrom bei Vr
100 μA @ 40 V
Kapazität bei Vr, F
-
Montagetyp
Surface Mount
Gehäuse / Hülle
SQ-MELF, B
Gehäusetyp vom Lieferanten
B, SQ-MELF
Betriebstemperatur - übergang
-65 ℃ ~ 125 ℃

1N5822US Inventar: 45040

Geschichte Preis
$77.86000
Certificates
5.0 / 5.0
review stars
Author Icon
Katharina Steffen
Location Icon Germany
5 stars
2023-04-18 04:18
Schneller Versand nach De. Alles ist in Ordnung. Danke
Author Icon
Quentin Barbier
Location Icon France
5 stars
2023-04-13 09:04
Perfekt zum Testen.
Author Icon
Justine Lemoine
Location Icon France
5 stars
2023-04-13 09:05
Perfekt zum Testen
Author Icon
Jennifer Miller
Location Icon United Kingdom
5 stars
2023-04-18 09:24
Toller Artikel, toller Verkäufer, A
Author Icon
Daria Conti
Location Icon Italy
5 stars
2023-04-12 05:54
Ich bin sehr zufrieden mit der Lieferzeit, wenn man bedenkt, dass das Material aus China verschickt wurde.<br>Darüber hinaus wurden die Produkte hervorragend verpackt

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