1N5814
Active - DIODE GEN PURP 100V 20A DO203AA
Beschreibung:
DIODE GEN PURP 100V 20A DO203AA
1N5814 Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Spannung - DC-Rückwärtssp. (Vr) (Max.)
100 V
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io)
20A
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If
950 mV @ 20 A
Geschwindigkeit
Fast Recovery = 200mA (Io)
Umkehrerholungszeit (trr)
35 ns
Strom - Sperrleckstrom bei Vr
10 μA @ 100 V
Kapazität bei Vr, F
300pF @ 10V, 1MHz
Gehäuse / Hülle
DO-203AA, DO-4, Stud
Gehäusetyp vom Lieferanten
DO-203AA
Betriebstemperatur - übergang
-65 ℃ ~ 175 ℃
Italy
