1N5812
Active - DIODE GEN PURP 50V 20A DO203AA
Beschreibung:
DIODE GEN PURP 50V 20A DO203AA
1N5812 Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Spannung - DC-Rückwärtssp. (Vr) (Max.)
50 V
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io)
20A
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If
950 mV @ 20 A
Geschwindigkeit
Fast Recovery = 200mA (Io)
Umkehrerholungszeit (trr)
15 ns
Strom - Sperrleckstrom bei Vr
10 μA @ 50 V
Kapazität bei Vr, F
300pF @ 10V, 1MHz
Gehäuse / Hülle
DO-203AA, DO-4, Stud
Gehäusetyp vom Lieferanten
DO-203AA
Betriebstemperatur - übergang
-65 ℃ ~ 175 ℃
1N5812 Inventar: 30880
5.0 / 5.0
2023-03-26 11:37
Seriöser und professioneller Verkäufer empfehlen es
2023-03-25 05:08
Alles gut zu empfehlen
2023-03-26 07:37
Gute Qualität Ware in Übereinstimmung mit der Bestellung. Lieferzeit 18 Tage.
2023-03-27 06:47
Toller Artikel, toller Verkäufer, A
2023-03-27 01:57
Alles gemäß der Beschreibung. Russland morduje Ukraińc
Italy
