1N5809US
Active - DIODE GEN PURP 100V 3A B SQ-MELF
Beschreibung:
DIODE GEN PURP 100V 3A B SQ-MELF
1N5809US Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Spannung - DC-Rückwärtssp. (Vr) (Max.)
100 V
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io)
3A
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If
875 mV @ 4 A
Geschwindigkeit
Fast Recovery = 200mA (Io)
Umkehrerholungszeit (trr)
30 ns
Strom - Sperrleckstrom bei Vr
5 μA @ 100 V
Kapazität bei Vr, F
60pF @ 10V, 1MHz
Gehäuse / Hülle
SQ-MELF, B
Gehäusetyp vom Lieferanten
B, SQ-MELF
Betriebstemperatur - übergang
-65 ℃ ~ 175 ℃
Italy
