1N3595US
Active - DIODE GEN PURP 4A B SQ-MELF
Beschreibung:
DIODE GEN PURP 4A B SQ-MELF
1N3595US Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Spannung - DC-Rückwärtssp. (Vr) (Max.)
-
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io)
4A
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If
1 V @ 200 mA
Geschwindigkeit
Standard Recovery >500ns, >200mA (Io)
Umkehrerholungszeit (trr)
3 μs
Strom - Sperrleckstrom bei Vr
1 nA @ 125 V
Gehäuse / Hülle
SQ-MELF, B
Gehäusetyp vom Lieferanten
B, SQ-MELF
Betriebstemperatur - übergang
-65 ℃ ~ 150 ℃
1N3595US Inventar: 35280
5.0 / 5.0
2023-03-26 07:37
Gute Qualität Ware in Übereinstimmung mit der Bestellung. Lieferzeit 18 Tage.
2023-03-27 06:30
Kam wie gewünscht. Qualitätsprodukt. Schnell angekommen und mit gutem Schutz. Ich empfehle und werde in Zukunft wieder kaufen.
2023-03-26 11:37
Seriöser und professioneller Verkäufer empfehlen es
2023-03-25 05:08
Alles gut zu empfehlen
2023-03-26 07:37
Gute Qualität Ware in Übereinstimmung mit der Bestellung. Lieferzeit 18 Tage.
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