1N2496
Active - DIODE GEN PURP 500V 6A DO4
Beschreibung:
DIODE GEN PURP 500V 6A DO4
1N2496 Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Spannung - DC-Rückwärtssp. (Vr) (Max.)
500 V
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io)
6A
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If
1.3 V @ 30 A
Geschwindigkeit
Standard Recovery >500ns, >200mA (Io)
Umkehrerholungszeit (trr)
-
Strom - Sperrleckstrom bei Vr
10 μA @ 500 V
Gehäuse / Hülle
DO-203AA, DO-4, Stud
Gehäusetyp vom Lieferanten
DO-4 (DO-203AA)
Betriebstemperatur - übergang
-65 ℃ ~ 200 ℃
1N2496 Inventar: 11120
5.0 / 5.0
2023-02-09 12:01
Vielen Dank, konformes Objekt, schnelle Lieferung Nachverfolgung ok, siehe bei der nächsten Bestellung!!
2023-02-10 11:00
Hallo herzlich, alles ist in Ordnung, gemäß der Beschreibung der empfehlen, superschnelle Lieferung für das, was Dankeschön regards__B
2022-08-19 13:29
IGBT-Transistoren auf Testerach und Tescie geöffnet und geschlossen, alle 5 Stück smooth.__As für jetzt von diesem Verkäufer przychodza alle glatt was ist rzadkoscia U andere sprzedawcow tranzystorow IGBT, empfehlen, gute Kommunikation mit Verkäufer.
2023-02-09 11:27
Wie in der Beschreibung habe ich sie nicht installiert, um sie zu testen
2023-02-10 05:28
Aussehende Qualität, gut verpackt, gut verpackt, danke
France
