1N2260
Active - DIODE GEN PURP 800V 22A DO4
Beschreibung:
DIODE GEN PURP 800V 22A DO4
1N2260 Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Spannung - DC-Rückwärtssp. (Vr) (Max.)
800 V
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io)
22A
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If
1.2 V @ 30 A
Geschwindigkeit
Standard Recovery >500ns, >200mA (Io)
Umkehrerholungszeit (trr)
-
Strom - Sperrleckstrom bei Vr
10 μA @ 800 V
Gehäuse / Hülle
DO-203AA, DO-4, Stud
Gehäusetyp vom Lieferanten
DO-4 (DO-203AA)
Betriebstemperatur - übergang
-65 ℃ ~ 200 ℃
1N2260 Inventar: 17200
5.0 / 5.0
2023-03-24 03:47
Einfach hervorragend!! Vielen Dank.
2022-12-19 19:44
Die Lieferung ist nicht angekommen.
2023-03-25 13:19
Ist wie die Beschreibung (Toshiba). Ist der Betrag, um den ich gebeten habe. Sehr schnell schickte er. Noch nicht bewiesen, ich werde später einen zusätzlichen Kommentar hinzufügen.
2023-03-25 19:53
Sieht gut aus. noch nicht getestet.
2022-11-10 14:27
einige beschädigte Komponenten, unbrauchbar
Finland
