ISL89165FBECZ
Obsolete - AND GATE BASED MOSFET DRIVER
Beschreibung:
AND GATE BASED MOSFET DRIVER
ISL89165FBECZ Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Getriebene Konfiguration
Low-Side
Gattertyp
N-Channel MOSFET
Spannung - Versorgung
7.5V ~ 16V
Logikspannung - VIL, VIH
2.4V, 9.6V
Strom - Spitze, Ausgang (Quelle, Senke)
6A, 6A
Eingangstyp
Inverting, Non-Inverting
Spannung, High-Side - Max. (Bootstrap)
-
Anstiegs- / Abfallzeit (typ.)
20ns, 20ns
Betriebstemperatur
-40 ℃ ~ 125 ℃ (TJ)
Gehäuse / Hülle
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Gehäusetyp vom Lieferanten
8-SOIC-EP
Italy
