ISL6613ECB
Obsolete - HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER
Beschreibung:
HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER
ISL6613ECB Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Getriebene Konfiguration
Half-Bridge
Gattertyp
N-Channel MOSFET
Spannung - Versorgung
10.8V ~ 13.2V
Logikspannung - VIL, VIH
-
Strom - Spitze, Ausgang (Quelle, Senke)
1.25A, 2A
Eingangstyp
Non-Inverting
Spannung, High-Side - Max. (Bootstrap)
36 V
Anstiegs- / Abfallzeit (typ.)
26ns, 18ns
Betriebstemperatur
0 ℃ ~ 125 ℃ (TJ)
Gehäuse / Hülle
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Gehäusetyp vom Lieferanten
8-SOIC-EP
ISL6613ECB Inventar: 5580
5.0 / 5.0
2023-01-31 08:55
Atejo greit von 2 Sav
2023-01-29 13:49
Ich werde sie testen und zusätzliches Feedback hinterlassen
2022-09-23 13:37
Liefert nicht innerhalb von 10 Tagen
2023-01-29 05:13
Alles in Ordnung, meine Xbox One X works.__Recommend
2023-01-31 08:48
Ausgezeichneter IR-Empfänger. Ich habe einen sehr geringen Stromverbrauch gemessen (200uA @ 4V), also gut brauchbar für die Stand-Alone-Eingangserkennung. Die IR-Empfindlichkeit ist sehr hoch, ich denke bis zu 20 Meter, je nach IR-LED.__The Empfänger mag kein kontinuierliches IR;
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