ISL6613BECB
Obsolete - HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER
Beschreibung:
HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER
ISL6613BECB Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Getriebene Konfiguration
Half-Bridge
Gattertyp
N-Channel MOSFET
Spannung - Versorgung
7V ~ 13.2V
Logikspannung - VIL, VIH
-
Strom - Spitze, Ausgang (Quelle, Senke)
1.25A, 2A
Eingangstyp
Non-Inverting
Spannung, High-Side - Max. (Bootstrap)
36 V
Anstiegs- / Abfallzeit (typ.)
26ns, 18ns
Betriebstemperatur
0 ℃ ~ 125 ℃ (TJ)
Gehäuse / Hülle
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Gehäusetyp vom Lieferanten
8-SOIC-EP
ISL6613BECB Inventar: 180
5.0 / 5.0
2022-12-19 19:44
Die Lieferung ist nicht angekommen.
2023-03-25 13:19
Ist wie die Beschreibung (Toshiba). Ist der Betrag, um den ich gebeten habe. Sehr schnell schickte er. Noch nicht bewiesen, ich werde später einen zusätzlichen Kommentar hinzufügen.
2023-03-25 19:53
Sieht gut aus. noch nicht getestet.
2022-11-10 14:27
einige beschädigte Komponenten, unbrauchbar
2023-03-20 09:32
Nun, 50 Stück. Toll für den Preis!
Finland
