ISL6612CR
Obsolete - HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER
Beschreibung:
HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER
ISL6612CR Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Getriebene Konfiguration
Half-Bridge
Gattertyp
N-Channel MOSFET
Spannung - Versorgung
10.8V ~ 13.2V
Logikspannung - VIL, VIH
-
Strom - Spitze, Ausgang (Quelle, Senke)
1.25A, 2A
Eingangstyp
Non-Inverting
Spannung, High-Side - Max. (Bootstrap)
36 V
Anstiegs- / Abfallzeit (typ.)
26ns, 18ns
Betriebstemperatur
0 ℃ ~ 125 ℃ (TJ)
Gehäuse / Hülle
10-VFDFN Exposed Pad
Gehäusetyp vom Lieferanten
10-DFN (3x3)
France
