ISL6612BECB
Obsolete - HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER
Beschreibung:
HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER
ISL6612BECB Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Getriebene Konfiguration
Half-Bridge
Gattertyp
N-Channel MOSFET
Spannung - Versorgung
7V ~ 13.2V
Logikspannung - VIL, VIH
-
Strom - Spitze, Ausgang (Quelle, Senke)
1.25A, 2A
Eingangstyp
Non-Inverting
Spannung, High-Side - Max. (Bootstrap)
36 V
Anstiegs- / Abfallzeit (typ.)
26ns, 18ns
Betriebstemperatur
0 ℃ ~ 125 ℃ (TJ)
Gehäuse / Hülle
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Gehäusetyp vom Lieferanten
8-SOIC-EP
ISL6612BECB Inventar: 28140
5.0 / 5.0
2023-02-27 04:25
Super schnelle Lieferung
2023-02-28 12:17
Schneller Versand, alles OK. Empfehlen.
2023-02-27 05:44
Ich empfehle diesen Verkäufer.... Alles ist in Ordnung.
2023-02-26 12:15
Schnell zur Verfügung gestellt, gut verpackt, gute Qualität
2023-02-27 07:35
Lieferung erhalten, Transistoren nicht ausgebreitet.
Netherlands
