ISL6612AECB
Obsolete - HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER
Beschreibung:
HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER
ISL6612AECB Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Getriebene Konfiguration
Half-Bridge
Gattertyp
N-Channel MOSFET
Spannung - Versorgung
10.8V ~ 13.2V
Logikspannung - VIL, VIH
-
Strom - Spitze, Ausgang (Quelle, Senke)
1.25A, 2A
Eingangstyp
Non-Inverting
Spannung, High-Side - Max. (Bootstrap)
36 V
Anstiegs- / Abfallzeit (typ.)
26ns, 18ns
Betriebstemperatur
0 ℃ ~ 125 ℃ (TJ)
Gehäuse / Hülle
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Gehäusetyp vom Lieferanten
8-SOIC-EP
ISL6612AECB Inventar: 16880
5.0 / 5.0
2023-01-25 08:28
Großartige Chip-Good-Verpackung dauerte nur 3 Wochen in den Staaten
2023-01-27 10:43
Ausgezeichnet, sehr schnell gesendet
2023-01-27 01:35
Angekommen in 15 Tagen wie auf den Fotos
2023-01-24 11:28
Guter Verkäufer. Produkt OK, aber ein bisschen auf der teuren Seite.
2023-01-26 00:18
Gauta. Netikrints Veikimas.
United States
