HIP6601ACB-T
Active - HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER
Beschreibung:
HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER
HIP6601ACB-T Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Getriebene Konfiguration
Half-Bridge
Gattertyp
N-Channel MOSFET
Spannung - Versorgung
10.8V ~ 13.2V
Logikspannung - VIL, VIH
-
Strom - Spitze, Ausgang (Quelle, Senke)
730mA
Eingangstyp
Non-Inverting
Spannung, High-Side - Max. (Bootstrap)
-
Anstiegs- / Abfallzeit (typ.)
20ns, 20ns
Betriebstemperatur
0 ℃ ~ 85 ℃ (TA)
Gehäuse / Hülle
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gehäusetyp vom Lieferanten
8-SOIC
HIP6601ACB-T Inventar: 28400
5.0 / 5.0
2023-03-22 08:53
Sehr zufrieden mit dem Produkt, vielen Dank an den Verkäufer.
2023-03-24 06:22
Sehr gut. Alles klar. Grüße. Vielen Dank...
2023-03-23 22:54
Alles ok zu empfehlen, tolles Produkt
2023-03-25 04:23
Alles wie bestellt, ich habe die Qualität nicht überprüft, aber das Aussehen und die Quantität entspricht der Beschreibung. Die Lieferung erfolgt schnell. Vielen Dank! (PS: Ja, ich bin eine Frau! Lassen Sie sich davon nicht verwirren!)
2023-03-26 01:25
Sie kamen viel schneller an als erwartet. Alles, was ich tun muss, ist, sie zu reiten.
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