2N6763
Active - POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N
Beschreibung:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N
2N6763 Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
31A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
80mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
-
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
3000 pF @ 25 V
Verlustleistung (max.)
150W
Betriebstemperatur
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-3
Gehäuse / Hülle
TO-204AA, TO-3
2N6763 Inventar: 41680
5.0 / 5.0
2023-03-16 05:43
Großartig, vielen Dank
2023-03-16 04:57
Everything Perfect kam schnell nach Spanien.
2023-03-16 04:06
Spektakuläre Spannungsregler, super klein und sehr effizient.
2023-03-15 00:56
Schnelle Lieferung, Artikel sind gut verpackt und sehen bestellkonform aus, aber noch nicht getestet. Danke
2023-03-12 10:45
Es ist das, was ich wollte, und ich kam in ein paar Tagen perfekt an
France
