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BG5120KE6327

Active - N-CHANNEL POWER MOSFET

Hersteller:

Infineon Technologies

Hersteller-Teil #

BG5120KE6327

Kategorie:

Transistoren - FETs, MOSFETs - HF-FETs, HF-MOSFETs

Datenblatt:

BG5120KE6327

Beschreibung:

N-CHANNEL POWER MOSFET

BG5120KE6327 Spezifikation

Produkt-Attribut

Attributwert

Kategorie

Transistoren - FETs, MOSFETs - HF-FETs, HF-MOSFETs

Hersteller

Infineon Technologies

Reihe

Automotive, AEC-Q101

Verpackung

Bulk

Produktstatus

Active

Technologie

2 N-Channel (Dual)

Konfiguration

-

Frequenz

30dB

Verstärkung

5 V

Spannung - Test

10μA

Nennstrom (Ampere)

1.1dB @ 800MHz

Rauschzahl

10 mA

Strom - Test

-

Leistung - Abgabe

8 V

Spannung - Nennwert

-

Montagetyp

6-VSSOP, SC-88, SOT-363

Gehäuse / Hülle

SOT-363

Gehäusetyp vom Lieferanten

-

BG5120KE6327 Inventar: 50

Geschichte Preis

$0.08000

5.0 / 5.0

Halina Jankowska

Poland

2021-12-09 23:36

Schneller Versand, OK

Emil Kwiatkowski

Poland

2021-06-13 07:47

Sieht echt aus. Haben Sie ein IR-Logo. Noch nicht getestet.

Gintaras Jonas

Lithuania

2021-12-07 05:43

Sieht aus wie nicht echt

Laura Ramirez

United States

2021-07-21 00:28

Okay, laut Ankündigung.

Valentina

Spain

2021-07-21 07:53

Produkt gut, wie beschrieben.

BG5120KE6327

BG5120KE6327 Spezifikation

BG5120KE6327 Inventar: 50

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