FDB8160
Active - MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
Beschreibung:
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
FDB8160 Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
80A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
1.8mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V @ 250μA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
243 nC @ 10 V
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
11825 pF @ 15 V
Verlustleistung (max.)
254W (Tc)
Betriebstemperatur
-55 ℃ ~ 175 ℃ (TJ)
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-263AB
Gehäuse / Hülle
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
FDB8160 Inventar: 46540
5.0 / 5.0
2023-03-01 01:18
In Übereinstimmung mit der Beschreibung. Es ist schwierig, die Referenzen der Komponenten auf den Stangen zu lesen.
2023-03-01 12:52
Sehr schnell und gute Qualität.
2023-02-28 05:11
Produkt laut Beschreibung
2023-02-27 07:35
Lieferung erhalten, Transistoren nicht ausgebreitet.
2023-03-01 01:33
Sehr schön, in separaten Behältern.
France
