Kategorien
Neue Produkte
Qualitätskontrolle
Rezensionen
Startseite  /  Diskrete Halbleiter  /  Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzelne FETs, MOSFETs  /  EPC EPC2035

EPC2035

Active Icon Active - GANFET N-CH 60V 1.7A DIE
EPC2035
EPC2035
EPC
Hersteller:
Hersteller-Teil #
Datenblatt:
Beschreibung:
GANFET N-CH 60V 1.7A DIE
 
3D Model Icon

EPC2035 Spezifikation

Produkt-Attribut
Attributwert
Hersteller
Reihe
eGaN
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
GaNFET (Gallium Nitride)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
1.7A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
5V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
45mOhm @ 1A, 5V
Vgs(th) (max.) bei Id
2.5V @ 800μA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
1.15 nC @ 5 V
Vgs (Max.)
+6V, -4V
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
115 pF @ 30 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
-
Betriebstemperatur
-40 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Montagetyp
Surface Mount
Gehäusetyp vom Lieferanten
Die
Gehäuse / Hülle
Die

EPC2035 Inventar: 6800

Geschichte Preis
$0.93000
Certificates
5.0 / 5.0
review stars
Author Icon
Stanisław Kaczor
Location Icon Poland
5 stars
2023-03-26 07:37
Gute Qualität Ware in Übereinstimmung mit der Bestellung. Lieferzeit 18 Tage.
Author Icon
John Jones
Location Icon United Kingdom
5 stars
2023-03-27 06:47
Toller Artikel, toller Verkäufer, A
Author Icon
Krystyna Zawadzka
Location Icon Poland
5 stars
2023-03-27 01:57
Alles gemäß der Beschreibung. Russland morduje Ukraińc
Author Icon
Tiziana Rizzo
Location Icon Italy
5 stars
2023-03-27 05:39
Schneller Versand, alles wie beschrieben.
Author Icon
Hugo Enrique Pérez
Location Icon Spain
5 stars
2022-11-04 11:23
Perfekt für RGH3 bis Xbox 360, sie funktionieren perfekt.

EPC2035 Verwandte Teile

EPC2218
EPC2001C
EPC2053
EPC2012
EPC2016
EPC2054
EPC2007
EPC2034
EPC2045
EPC2052
EPC8004
EPC2007C
Angebotsanfrage
Teilenummer *
Hersteller
Kontaktperson *
E-Mail *
Anfrage Menge *
Lieferland *