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G06N10
Active - N100V,RD(MAX)<240M@10V,VTH1.2V~3
Hersteller:
Goford Semiconductor
Hersteller-Teil #
G06N10
Kategorie:
Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzelne FETs, MOSFETs
Datenblatt:
G06N10
Beschreibung:
N100V,RD(MAX)<240M@10V,VTH1.2V~3
G06N10 Datenblatt
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G06N10 Inventar: 37280
Geschichte Preis
$0.48000
5.0 / 5.0
Olivier Delaunay
France
2023-01-25 00:07
Conforme j
Emily King
United States
2023-01-27 11:44
Die Beschriftung ist sehr deutlich, gibt aber zur Identifizierung des Bauteils an.
Natalie Hill
United States
2023-01-26 09:15
Alles in Ordnung. Bedienen. Empfehlen
Nicolás Esteban Herrera
Spain
2023-01-24 12:06
Mui guter Verkäufer alles wie es beschrieben ist. Vielen Dank
Samuel Wright
United States
2023-01-23 13:32
Alles wie beschrieben
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