US8KC-HF
Active - DIODE GEN PURP 800V 8A DO214AB
Beschreibung:
DIODE GEN PURP 800V 8A DO214AB
US8KC-HF Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Spannung - DC-Rückwärtssp. (Vr) (Max.)
800 V
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io)
8A
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If
1.7 V @ 8 A
Geschwindigkeit
Fast Recovery = 200mA (Io)
Umkehrerholungszeit (trr)
80 ns
Strom - Sperrleckstrom bei Vr
10 μA @ 800 V
Kapazität bei Vr, F
55pF @ 4V, 1MHz
Gehäuse / Hülle
DO-214AB, SMC
Gehäusetyp vom Lieferanten
DO-214AB (SMC)
Betriebstemperatur - übergang
-55 ℃ ~ 150 ℃
Germany
