CDBDSC3650-G
Active - DIODE SIL CARBIDE 650V 11A DPAK
Beschreibung:
DIODE SIL CARBIDE 650V 11A DPAK
CDBDSC3650-G Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Technologie
Silicon Carbide Schottky
Spannung - DC-Rückwärtssp. (Vr) (Max.)
650 V
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io)
11A
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If
1.7 V @ 3 A
Geschwindigkeit
No Recovery Time >500mA (Io)
Umkehrerholungszeit (trr)
0 ns
Strom - Sperrleckstrom bei Vr
100 μA @ 650 V
Kapazität bei Vr, F
181pF @ 0V, 1MHz
Gehäuse / Hülle
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gehäusetyp vom Lieferanten
DPAK
Betriebstemperatur - übergang
-55 ℃ ~ 175 ℃
CDBDSC3650-G Inventar: 41860
5.0 / 5.0
2023-07-01 13:05
Schneller Versand. Speicher noch nicht überprüft.
2023-07-01 05:26
Ich habe sie nicht alle getestet, aber die, die ich verwendet habe, funktionieren einwandfrei
2023-07-01 02:56
Alles ist super, nur positive Emotionen aus dem Deal
2023-06-29 02:47
Es kam pünktlich an, ohne Schäden, Test fehlt, zufrieden mit dem Kauf.
2023-06-29 07:42
Alles OK, tolles Produkt, schnelle Lieferung, vielen Dank.
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