BAS16-G
Active - DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23-3
Beschreibung:
DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23-3
BAS16-G Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Spannung - DC-Rückwärtssp. (Vr) (Max.)
75 V
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io)
200mA
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If
1.25 V @ 150 mA
Geschwindigkeit
Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Umkehrerholungszeit (trr)
6 ns
Strom - Sperrleckstrom bei Vr
1 μA @ 75 V
Kapazität bei Vr, F
2pF @ 0V, 1MHz
Gehäuse / Hülle
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gehäusetyp vom Lieferanten
SOT-23-3
Betriebstemperatur - übergang
-55 ℃ ~ 150 ℃
BAS16-G Inventar: 31040
5.0 / 5.0
2022-12-16 18:07
Okay erhalten, viele Beine waren richtig angewinkelt, als der IC-Chip für den Versand in antistatischen Schaum gedrückt wurde
2023-02-28 05:53
Ok, alles guter, schneller Versand, danke
2022-10-06 10:05
Alles in Ordnung, danke.
2023-02-28 16:48
Schon ein Soldat am Handy. Funktioniert ok
2022-10-11 01:17
Thanks.__Only fünf von ihnen sind Triacs.
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